2月10日消息,意法半导体表示,其在2021年7月成功制造出的首批8英寸SiC晶圆质量上乘,影响芯片良率和晶体位错的缺陷少,目标在2024年量产并实现40%的自主供应,并计划到2024年将SiC晶圆产能提高到2017年的10倍。
此外,电力和能源领域在政府政策和投资计划的支持下,意法半导体对电网、绿色公共交通和能源转型等关键基础设施的投资正在扩大。
2月10日消息,意法半导体表示,其在2021年7月成功制造出的首批8英寸SiC晶圆质量上乘,影响芯片良率和晶体位错的缺陷少,目标在2024年量产并实现40%的自主供应,并计划到2024年将SiC晶圆产能提高到2017年的10倍。
此外,电力和能源领域在政府政策和投资计划的支持下,意法半导体对电网、绿色公共交通和能源转型等关键基础设施的投资正在扩大。